Injected charge to recovery as a parameter to characterize the breakdown reversibility of ultrathin HfSiON gate dielectric
Crespo-Yepes, A. 
(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martin-Martinez, J. 
(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rothschild, A. (Interuniversity Micro-Electronics Center)
Rodriguez, R. 
(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafria, Montserrat 
(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Aymerich Humet, Xavier 
(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
| Data: |
2011 |
| Resum: |
The injected charge to recovery (QR) is presented as a parameter to characterize the dielectric breakdown (BD)reversibility in MOSFETs with ultrathin high-k hafnium based gate dielectric. The procedure to recover the dielectric is explained and the dependences of QR with the current limit during BD, the polarity of the BD-recovery stresses and the number of stress cycles are analyzed. |
| Ajuts: |
Ministerio de Ciencia e Innovación TEC2007-61294/MIC Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2009/SGR-783
|
| Drets: |
Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.  |
| Llengua: |
Anglès |
| Document: |
Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar |
| Matèria: |
Dielectric breakdown (BD) ;
BD reversibility ;
High-k ;
Reliability ;
Resistive switching ;
CMOS |
| Publicat a: |
IEEE transactions on device and materials reliability, Vol. 11, Issue 1 (March 2011) , p. 126-130, ISSN 1530-4388 |
DOI: 10.1109/TDMR.2010.2098032
El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca >
Documents dels grups de recerca de la UAB >
Centres i grups de recerca (producció científica) >
Enginyeries >
Grup de Fiabilitat de Dispositius i Circuits Electrònics (REDEC) Articles >
Articles de recercaArticles >
Articles publicats
Registre creat el 2015-09-28, darrera modificació el 2026-06-25