Effect of the channel length on the transport characteristics of transistors based on boron-doped graphene ribbons
Marconcini, Paolo (Università di Pisa. Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione)
Cresti, Alessandro (Université Grenoble Alpes)
Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)

Data:	2018
Resum:	Substitutional boron doping of devices based on graphene ribbons gives rise to a unipolar behavior, a mobility gap, and an increase of the I/I ratio of the transistor. Here we study how this effect depends on the length of the doped channel. By means of self-consistent simulations based on a tight-binding description and a non-equilibrium Green's function approach, we demonstrate a promising increase of the I/I ratio with the length of the channel, as a consequence of the different transport regimes in the ON and OFF states. Therefore, the adoption of doped ribbons with longer aspect ratios could represent a significant step toward graphene-based transistors with an improved switching behavior.
Drets:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, fins i tot amb finalitats comercials, sempre i quan es reconegui l'autoria de l'obra original.
Llengua:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió publicada
Matèria:	ION/IOFF ratio ; Boron doping ; Channel length ; Graphene ribbon ; Mobility gap ; Transistor ; Transport
Publicat a:	Materials, Vol. 11, issue. 5 (April 2018) , art. 667, ISSN 1996-1944

DOI: 10.3390/ma11050667
PMID: 29693612

12 p, 435.8 KB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Ciències > Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats