Nanoscale conductive pattern of the homoepitaxial AlGaN/GaN transistor
Perez-Tomas, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Catalan, Gustau (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Fontserè Recuenco, Abel (Laboratori de Llum del Sincrotró ALBA)
Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona)
Chen, H. (University of Warwick. School of Engineering)
Gammon, Peter (University of Warwick. School of Engineering)
Jennings, M. R. (University of Warwick. School of Engineering)
Thomas, M. (University of Warwick. School of Engineering)
Fisher, C. A. (University of Warwick. School of Engineering)
Sharma, Y. K. (University of Warwick. School of Engineering)
Placidi, Marcel (Institut de Recerca en Energia de Catalunya)
Chmielowska, M. (Centre National de la Recherche Scientifique (França). Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications)
Chenot, S. (Centre National de la Recherche Scientifique (França). Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications)
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona)
Cordier, Y. (Centre National de la Recherche Scientifique (França). Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications)

Data:	2015
Resum:	The gallium nitride (GaN)-based buffer/barrier mode of growth and morphology, the transistor electrical response (25-310°C) and the nanoscale pattern of a homoepitaxial AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) have been investigated at the micro and nanoscale. The low channel sheet resistance and the enhanced heat dissipation allow a highly conductive HEMT transistor (Ids.
Ajuts:	Ministerio de Economía y Competitividad SEV-2013-0295
Drets:	Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.
Llengua:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Publicat a:	Nanotechnology, Vol. 26, Issue 11 (March 2015) , art. 115203, ISSN 1361-6528

DOI: 10.1088/0957-4484/26/11/115203

Postprint 21 p, 746.1 KB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Ciències > Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2)
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Ciències > El Sincrotró ALBA
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats