A flexible characterization methodology of RRAM : application to the modeling of the conductivity changes as synaptic weight updates
Pedro, Marta (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Data:	2019
Resum:	In this work, an automatic and flexible measurement setup, which allows a massive electrical characterization of single RRAM devices with pulsed voltages, is presented. The evaluation of the G-V maps under single-pulse test-schemes is introduced as an example of application of the proposed methodology, in particular for neuromorphic engineering, where the fine analog control of the synaptic device conductivity state is required, by inducing small changes in each learning iteration. To describe the obtained data, a time-independent compact model for memristive devices is used. The fitting parameters statistical distributions are further studied.
Ajuts:	Ministerio de Economía y Competitividad TEC2017-84321-C4-1-R Ministerio de Economía y Competitividad TEC2016-75151-C3-1-R Ministerio de Economía y Competitividad TEC2014-54906-JIN Ministerio de Economía y Competitividad TEC2013-45638-C3-1-R
Nota:	Altres ajuts: this work has made use of the Spanish ICTS Network MICRONANOFABS.
Drets:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades.
Llengua:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Matèria:	Automatic measurement setup ; Conductivity control ; Massive characterization ; Modelling ; Neuromorphic engineering ; RRAM ; Synaptic devices
Publicat a:	Solid-state electronics, Vol. 159 (Sep. 2019) , p. 57-62, ISSN 0038-1101

DOI: 10.1016/j.sse.2019.03.035

Postprint 8 p, 4.1 MB

El registre apareix a les col·leccions:
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats