Página principal > Resultados de la búsqueda: Reversibility
  Consejos para la búsqueda
Búsqueda avanzada
Buscar colecciones:
Ordenar por: Mostrar resultados: Formato de visualización:
Resultados globales: 8 registros encontrados en 0.01 segundos.
Artículos, Encontrados 8 registros
Artículos Encontrados 8 registros  
1.
16 p, 265.2 KB Time-reversibility and integrability of p : −q resonant vector fields / Giné, Jaume (Universitat de Lleida. Departament de Matemàtica) ; Romanovski, Valery G. (University of Maribor. Center for Applied Mathematics and Theoretical Physics) ; Torregrosa, Joan (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Matemàtiques)
We study the local analytical integrability in a neighborhood of p: −q resonant singular point of a two-dimensional vector field and its connection to time-reversibility with respect to the non-smooth involution ϕ(x, y) = (yp/q, xq/p). [...]
2024 - 10.3934/math.2024005
AIMS Mathematics, Vol. 9, Issue 1 (2024) , p. 73-88  
Registro completo - Creative Commons
2.
28 p, 1.4 MB Orbitally symmetric systems with applications to planar centers / Bastos, Jefferson L. R. (Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho. Departamento de Matemática) ; Buzzi, Claudio (Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho. Departamento de Matemática) ; Torregrosa, Joan (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Matemàtiques)
We present a generalization of the most usual symmetries in differential equations known as the time-reversibility and the equivariance ones. We check that the typical properties are also valid for the new definition that unifies both. [...]
2021 - 10.3934/cpaa.2021107
Communications on pure & applied analysis, Vol. 20, Issue 10 (October 2021) , p. 3319-3346  
Registro completo -
3.
28 p, 867.8 KB Phase portraits of (2;0) reversible vector fields with symmetrical singularities / Buzzi, Claudio (Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho. Instituto de Biociências, Letras e Ciências Exatas) ; Llibre, Jaume (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Matemàtiques) ; Santana, Paulo (Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho. Instituto de Biociências, Letras e Ciências Exatas)
In this paper we study the phase portraits in the Poincaré disk of the reversible vector fields of type (2;0) having generic bifurcations around a symmetric singular point p. We also prove the nonexistence of any periodic orbit surrounding p. [...]
2021 - 10.1016/j.jmaa.2021.125324
Journal of mathematical analysis and applications, Vol. 503, Issue 2 (November 2021) , art. 125324  
Registro completo - Creative Commons
4.
21 p, 626.8 KB Phase portraits for some symmetric cubic Riccati polynomial differential equations / Llibre, Jaume (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Matemàtiques) ; Oliveira, Regilene (Universidade de São Paulo. Departamento de Matemática) ; Valls, Clàudia 1973- (Universidade de Lisboa. Departamento de Matemàtica)
We classify the topological phase portraits in the Poincaré disc of two classes of symmetric Riccati cubic polynomial differential systems.
2018 - 10.1016/j.topol.2017.11.023
Topology and its applications, Vol. 234 (Feb. 2018) , p. 220-237  
Registro completo -
5.
17 p, 503.8 KB The impact of the economic crisis on youth trajectories : a case study from Southern Europe / Serracant, Pau (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Sociologia)
This paper analyses the impact of the economic crisis on the patterns of transition followed by Catalan young people. In particular, it does so by examining to what extent the crisis has affected the extension, de-linearization, reversibility and diversification of their trajectories. [...]
2015 - 10.1177/1103308814557398
Young, Vol. 23 Núm. 1 (February 2015) , p. 39-58  
Registro completo -
6.
3 p, 1.0 MB Recovery of the MOSFET and circuit functionality after the dielectric breakdown of ultra-thin high-k gate stacks / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rothschild, A. (Interuniversity Micro-Electronics Center) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The reversibility of the gate dielectric breakdown in ultra-thin high-k dielectric stacks is reported and analyzed. The electrical performance of MOSFETs after the dielectric recovery is modeled and introduced in a circuit simulator. [...]
2010 - 10.1109/LED.2010.2045732
IEEE electron device letters, Vol. 31, Issue 6 (June 2010) , p. 543-545  
Registro completo -
7.
6 p, 2.0 MB Injected charge to recovery as a parameter to characterize the breakdown reversibility of ultrathin HfSiON gate dielectric / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rothschild, A. (Interuniversity Micro-Electronics Center) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The injected charge to recovery (QR) is presented as a parameter to characterize the dielectric breakdown (BD)reversibility in MOSFETs with ultrathin high-k hafnium based gate dielectric. The procedure to recover the dielectric is explained and the dependences of QR with the current limit during BD, the polarity of the BD-recovery stresses and the number of stress cycles are analyzed.
2011 - 10.1109/TDMR.2010.2098032
IEEE transactions on device and materials reliability, Vol. 11, Issue 1 (March 2011) , p. 126-130  
Registro completo -
8.
41 p, 418.7 KB Dielectric breakdown in ultra-thin Hf based gate stacks : a resistive switching phenomenon / Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, the temperature dependence of the resistive switching-related currents (gate and drain) in MOSFETs with ultra-thin Hf based high-k dielectric has been analyzed, for the two dielectric conductivity states. [...]
2012 - 10.1149/2.012206jes
Journal of the Electrochemical Society, Vol. 159 Issue 5 (2012) , p. H529-H535  
Registro completo -

¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.
Depósito Digital de Documentos de la UAB :: Buscar :: Enviar :: Personalizar :: Ayuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantenido por ddd.bib@uab.cat  :: Metadatos sujetos a:
Colaboramos