Resultados globales: 153 registros encontrados en 0.04 segundos.
Artículos, Encontrados 40 registros
Libros y colecciones, Encontrados 2 registros
Documentos de investigación, Encontrados 14 registros
Materiales académicos, Encontrados 97 registros
Artículos Encontrados 40 registros  1 - 10siguientefinal  ir al registro:
1.
10 p, 2.9 MB On the aging of OTFTs and its impact on PUFs reliability / Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Palau, Gerard (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Arnal Rus, August (FlexiIC SL.) ; Ogier, Simon (SmartKem Ltd.) ; Ramon, Eloi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Given the current maturity of printed technologies, Organic Thin-Film Transistors (OTFT) still show high initial variability, which can be beneficial for its exploitation in security applications. In this work, the process-related variability and aging of commercial OTFTs have been characterized to evaluate the feasibility of OTFTs-based Physical Unclonable Functions (PUFs) implementation. [...]
Multidisciplinary Digital Publishing Institute (MDPI), 2024 - 10.3390/mi15040443
Micromachines, Vol. 15, issue 4 (April 2024) , art. 443  
2.
9 p, 1.2 MB Methodology for the simulation of the variability of MOSFETs with polycrystalline high-k dielectrics using CAFM input data / Ruiz, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Couso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Seoane, Natalia (Universidade de Santiago de Compostela. Citius) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Garcia-Loureiro, Antonio (Universidade de Santiago de Compostela. Citius) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, a simulation methodology, whose inputs are Conductive Atomic Force Microscope (CAFM) experimental data, is proposed to evaluate the impact of nanoscale variability sources related to the polycrystallization of high-k dielectrics (i. [...]
2021 - 10.1109/ACCESS.2021.3090472
IEEE Access, Vol. 9 (2021) , p. 90568-90576  
3.
13 p, 490.8 KB Hyperbolic polygons of minimal perimeter in punctured discs / Porti, Joan (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Matemàtiques)
We prove that, among the polygons in a punctured disc with fixed angles, the perimeter is minimized by the polygon with an inscribed horocycle centered at the puncture. We generalize this to a disc with a cone point and to an annulus with a geodesic boundary component and a complete end. [...]
2018 - 10.2422/2036-2145.201609_017
Annali della Scuola normale superiore di Pisa - Classe di scienze, Vol. 18, Issue 3 (May 2018) , p. 831-844  
4.
22 p, 328.5 KB The adjoint Reidemeister torsion for the connected sum of knots / Porti, Joan (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Matemàtiques) ; Yoon, Seokbeom (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Matemàtiques)
Let K be the connected sum of knots K1​,…,Kn​. It is known that the SL2​(C)-character variety of the knot exterior of K has a component of dimension ≥2 as the connected sum admits a so-called bending. [...]
2023 - 10.4171/QT/180
Quantum Topology, Vol. 14, Issue 3 (October 2023) , p. 407-428  
5.
32 p, 633.5 KB Volumes of SL_n(C)-representations of hyperbolic 3-manifolds / Pitsch, Wolfgang (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Matemàtiques) ; Porti, Joan (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Matemàtiques)
Let M be a compact oriented three-manifold whose interior is hyperbolic of finite volume. We prove a variation formula for the volume on the variety of representations of1 (M) in SLn (C). Our proof follows the strategy of Reznikov's rigidity when M is closed; in particular, we use Fuks's approach to variations by means of Lie algebra cohomology. [...]
2018 - 10.2140/gt.2018.22.4067
Geometry and Topology, Vol. 22, Issue 7 (December 2018) , p. 4067-4112  
6.
66 p, 686.7 KB Dynamics on flag manifolds : domains of proper discontinuity and cocompactness / Kapovich, Michael (University of California at Davis) ; Leeb, Bernhard (Universität München) ; Porti, Joan (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Matemàtiques)
For noncompact semisimple Lie groups G with finite center, we study the dynamics of the actions of their discrete subgroups Γ < G on the associated partial flag manifolds G/P. Our study is based on the observation, already made in the deep work of Benoist, that they exhibit also in higher rank a certain form of convergence-type dynamics. [...]
2017 - 10.2140/gt.2018.22.157
Geometry and Topology, Vol. 22, Issue 1 (October 2017) , p. 157-234  
7.
79 p, 743.7 KB A morse lemma for quasigeodesics in symmetric spaces and euclidean buildings / Kapovich, Michael (University of California at Davis) ; Leeb, Bernhard (Ludwig-Maximilians-Universität München) ; Porti, Joan (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Matemàtiques)
We prove a Morse lemma for regular quasigeodesics in nonpositively curved symmetric spaces and euclidean buildings. We apply it to give a new coarse geometric characterization of Anosov subgroups of the isometry groups of such spaces simply as undistorted subgroups which are uniformly regular.
2018 - 10.2140/gt.2018.22.3827
Geometry and Topology, Vol. 22, Issue 7 (December 2018) , p. 3827-3923  
8.
30 p, 630.7 KB THE SCHEME OF CHARACTERS IN SL2 / Heusener, Michael (Université Clermont Auvergne) ; Porti, Joan (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Matemàtiques)
The aim of this article is to study the SL2(C)-character scheme of a finitely generated group. Given a presentation of a finitely generated group Γ, we give equations defining the coordinate ring of the scheme of SL2(C)-characters of Γ (finitely many equations when Γ is finitely presented). [...]
2023 - 10.1090/tran/8910
Transactions of the American Mathematical Society, Vol. 376, Núm. 9 (May 2023) , p. 6283-6313  
9.
A Smart Measurement System for the Combined Nanoscale and Device Level Characterization of Electron Devices : Implementation Using Ink-Jet Printing Technologies / Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Arrese, Javier (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ; Ruiz, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cirera, Albert (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this article, the integration into a single measurement system of device level and nanoscale measurement equipment is presented and applied to the electrical characterization of emerging electron devices. [...]
2023 - 10.1109/TNANO.2023.3234357
IEEE Transactions on Nanotechnology, Vol. 22 (January 2023) , p. 28-35  
10.
Exploitation of OTFTs variability for PUFs implementation and impact of aging / Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Palau, Gerard (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Arnal Rus, August (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Ogier, Simon (SmartKem Ltd.) ; Ramon, Eloi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Commercial Organic Thin Film Transistors (OTFT) have been characterized to evaluate their variability and reliability. The feasibility of implementing Physical Unclonable Functions (PUFs) based on these devices has been evaluated, taking advantage of the high variation in the electrical characteristics among different OTFTs. [...]
2023 - 10.1016/j.sse.2023.108698
Solid-state electronics, Vol. 207 (Sep. 2023) , art. 108698  

Artículos : Encontrados 40 registros   1 - 10siguientefinal  ir al registro:
Libros y colecciones Encontrados 2 registros  
1.
34 p, 468.7 KB Cone 3-Manifolds / Porti, Joan (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Matemàtiques)
This is an overview on hyperbolic cone 3-manifolds, their deformation theory and their role in Thurston's orbifold theorem. We also describe the phenomena that may occur when deforming the cone angles, like cusp opening or collapses, under the assumption that the cone angles are less than π.
Cham, Switzerland: Springer, 2022 - 10.1007/978-3-030-97560-9_4
In the Tradition of Thurston II, 2022, p. 115-148  
2.
35 p, 611.1 KB Examples of character varieties in characteristic p and ramification / Porti, Joan (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Matemàtiques) ; Paoluzzi, Luisa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Matemàtiques)
We study SL2(F)-character varieties of knots over algebraically closed fields F. We give a sufficient condition in terms of the double branched cover of a 2-bridge knot (or, equivalently, of its Alexander polynomial) on the characteristic of F, an odd prime, for the SL2(F)-character variety to present ramification phenomena. [...]
2020 (Contemporary mathematics) - 10.1090/conm/760/15294
Characters in Low-Dimensional Topology, Vol. 760 (2020), p. 229-262  

Documentos de investigación Encontrados 14 registros  1 - 10siguiente  ir al registro:
1.
54.6 MB Nanoscale characterization and simulation of advanced CMOS and emerging devices variability / Ruiz Flores, Ana ; Porti i Pujal, Marc, dir.
Durant les darreres dècades, els dispositius electrònics han esdevingut essencials per a la nostra societat i es poden trobar al nostre voltant en tots els aspectes de la nostra vida quotidiana. Un exponent paradigmàtic és l'Internet de les Coses (IoT), que va des dels electrodomèstics intel·ligents de casa nostra fins a aplicacions i dispositius sanitaris. [...]
Durante las últimas décadas, los dispositivos electrónicos se han vuelto esenciales para nuestra sociedad y se pueden encontrar a nuestro alrededor en todos los aspectos de nuestra vida cotidiana. [...]
During the last decades, electronic devices have become essential for our society and can be found around us in all aspects of our daily life. A paradigmatic exponent of this is the Internet of Things (IoT), which ranges from smart appliances in our houses to healthcare applications and devices. [...]

2022  
2.
160 p, 1020.5 KB Deformations and representations of low dimensional non-orientable hyperbolic manifolds / Durán Batalla, Juan Luis ; Porti, Joan, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Matemàtiques
En aquesta tesi estenem diversos resultats coneguts sobre 3-varietats hiperbòliques i superfícies al cas no orientable i els comparem amb el seu equivalent orientable. En particular, ens centrem en el espai de deformacions de una 3-varietat hiperbòlica no orientable de volum finit, la competació métrica de dites deformacions i la varietat de representacions de l'ampolla de Klein i, més generalment, de qualsevol superfície tancada no orientable. [...]
En esta tesis extendemos varios resultados conocidos sobre 3-variedades hiperbólicas y superficies al caso no orientable y los comparamos con su equivalente orientable. En particular, nos centramos en el espacio de deformaciones de una 3-variedad hiperbólica no orientable de volumen finito, la completación métrica de dichas deformaciones y la variedad de representaciones de la botella de Klein y, más generalmente, de cualquier superficie cerrada no orientable. [...]
In this work, we extend several known results on hyperbolic 3-manifolds and surfaces to the non-orientable case and compare them to its orientable counterpart. In particular, we focus on the deformation space of a non-orientable hyperbolic 3-manifold of finite volume, the metric completion of said deformations and the variety of representation of the Klein bottle and, more generally, of any closed non-orientable surface. [...]

2021  
3.
175 p, 10.4 MB Analysis of impact of nanoscale defects on variability in MOS structures / Couso, Carlos ; Porti i Pujal, Marc, dir. ; Martín Martinez, Javier, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
En los últimos años, la información y su análisis se han convertido en la piedra angular del crecimiento de nuestra sociedad, permitiendo la economía compartida, la globalización de productos y conocimientos, etc. [...]
Over the last years, the information and its analysis have become in the corner stone of growth of our society allowing the sharing economy, globalization of products and knowledge, block-chain technology etc. [...]

[Bellaterra] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.  
4.
146 p, 1.1 MB Passió, estrés laboral i apreciació de la bellesa i l'excel·lència : relació amb el rendiment i el benestar dels músics / Portí de Ballabriga, Maria Eulàlia ; Chamarro Lusar, Andrés, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Psicologia Bàsica, Evolutiva i de l'Educació
La interpretació de la música a nivell professional és una de les experiències humanes més exigents i fascinants. Esdevenir músic comporta un gran sacrifici, tant pels assajos diaris com per la complexitat de les seves jornades laborals. [...]
Music performance on a professional level is one of the most demanding and fascinating human experiences. Becoming a musician entails great sacrifice, both for daily trials and the complexity of their workdays. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.  
5.
197 p, 6.7 MB A nanoscale study of MOSFETs reliability and resistive switching in RRAM devices / Wu, Qian ; Porti i Pujal, Marc, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
El continuo escalado de la tecnología CMOS ha supuesto un gran reto en cuanto a la fiabilidad de dispositivos MOSFET se refiere debido al aumento del campo eléctrico en su interior, el cual ha dado lugar a la aparición de diferentes mecanismos de fallo. [...]
The continuous scaling down of CMOS technology has stood for a big challenge for reliability researchers, mainly due to the persistent increase of the electric fields in nanoscale devices, which can trigger different failure mechanisms. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017  
6.
157 p, 900.3 KB Eigenvalue varieties of abelian trees of groups and link-manifolds / Malabre, François ; Boileau, Michel, dir. ; Porti, Joan, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Matemàtiques) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Matemàtiques
L'A-polinomi d'un nus en S3 és un poliomi de dues variables obtingut projectant la varietat de SL2C-caràcters de l'exterior del nus sobre la varietat de caràcters del grup perifèric. Distingeix el nus trivial i detecta alguns pendents a la vora de superfícies essencials dels exteriors de nus. [...]
Le A-polynôme d'un noeud dans S3 est un polynôme à deux variables obtenu en projetant la variété des SL2C-caractères de l'extérieur du noeud sur la variété de caractères du groupe périphérique. [...]
The A-polynomial of a knot in S3 is a two variable polynomial obtained by projecting the SL2C-character variety of the knot-group to the character variety of its peripheral subgroup. It distinguishes the unknot and detects some boundary slopes of essential surfaces in knot exteriors. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2015  
7.
180 p, 3.6 MB Microfabricated Fuel Cells as Power Sources for MEMS / Esquivel Bojorquez, Juan Pablo ; Sabaté Vizcarra, Neus, dir. ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
La creciente complejidad de los dispositivos electrónicos portátiles demanda fuentes de energía que cumplan con los requerimientos de entregar una alta densidad de potencia en un tamaño reducido y en muchos casos la posibilidad de lograr una completa integración. [...]
The increasing complexity of portable electronic devices demands energy sources that meet the requirement of delivering a high power density within a reduced size, and in many cases the possibility of achieving complete integration. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2011  
8.
147 p, 2.7 MB Ricci flow on cone surfaces and a three-dimensional expanding soliton / Ramos Guallar, Daniel ; Porti, Joan, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Matemàtiques) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Matemàtiques
El principal objectiu d'aquesta tesi és l'estudi de l'evolució mitjançant el flux de Ricci de superfícies amb singularitats de tipus cònic. Un segon objectiu, sorgit de les tècniques que utilitzem, és l'estudi de famílies de solitons del flux de Ricci en dimensió 2 i 3. [...]
El principal objetivo de esta tesis es el estudio de la evolución mediante el flujo de Ricci de superficies con singularidades de tipo cónico. Un segundo objetivo, surgido de las técnicas que utilizamos, es el estudio de familias de solitones del flujo de Ricci en dimensión 2 y 3. [...]
The main objective of this thesis is the study of the evolution under the Ricci flow of surfaces with singularities of cone type. A second objective, emerged from the techniques we use, is the study of families of Ricci flow solitons in dimension 2 and 3. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2014  
9.
149 p, 4.9 MB Variability and reliability at the nanoscale of gate dielectrics of MOS devices and graphene based structures / Bayerl, Albin ; Porti i Pujal, Marc, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
In the first chapter of this thesis, the MOSFET transistor and an overview of the implications of ongoing device shrinking will be given. Possible alternatives to allow the scaling down such as the introduction of high-k dielectrics and the potential of graphene for nanoelectronic applications are also explained. [...]
En el primer capítulo de ésta tesis, se les dará un resumen del transistor MOSFET y de las consecuencias del escalado de dispositivos electrónicos. También se explican las alternativas posibles para permitir mantener dicha tendencia, como la introducción de dieléctricos high-k y el potencial del grafeno para aplicaciones en nanoelectrónica. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013  
10.
148 p, 16.4 MB CAFM nanoscale electrical properties and reliability of HfO₂ based gate dielectrics in electron devices : impact of the polycrystallization and resistive switching / Iglesias Santiso, Vanessa ; Porti i Pujal, Marc, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
La evolución de los dispositivos MOS ha conllevado una reducción de tamaño de los mismos con el fin de mejorar sus prestaciones. Sin embargo, este continuo escalado se ha topado con un límite físico: la delgada capa aislante de SiO2 (entre otros), que fuerza la búsqueda de nuevas alternativas que permitan abastecer al exigente mercado tecnológico. [...]
The evolution of MOS devices has involved an important shrinking in the transistor size with the aim of improve their benefits. However, this continuous miniaturization has found its physical limits in the thin SiO2 dielectric layer with current sizes at nanometric scale. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013  

Documentos de investigación : Encontrados 14 registros   1 - 10siguiente  ir al registro:
Materiales académicos Encontrados 97 registros  1 - 10siguientefinal  ir al registro:
1.
4 p, 102.1 KB Anàlisi Topològica de Dades [104419] / Porti Pique, Joan ; Campos Heredia, Martín-Hernán ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
L'assignatura es proposa introduir les característiques topològiques de les dades (és a dir, les formes i patrons). Aprendrem els mètodes per extreure'n aquesta informació, així com algunes aplicacions.
The first goal is to introduce the topological features of data (namely, shapes and patterns). We shall learn the methodology do release this information, as well as some applications.
La assignatura se propone introducir las características topològicas de los datos, es decir formas y patrones. Aprenderemos los métodos para extraer esta informaciós, así como algunas aplicaciones.

2023-24
Grau en Matemàtica Computacional i Analítica de Dades [1403]
3 documentos
2.
5 p, 102.7 KB Descripcions Probabilístiques i Estadístiques [104348] / Binotto, Giulia ; Porti Pique, Joan ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu de l'assignatura és introduir les eines de la probabilitat i l'estadística bàsiques per analitzar dades provinents de la descripció de fenòmens naturals, socials o econòmics o d'experiments, incidint sobre la seva correcta utilització i la interpretació dels resultats. [...]
The goal of the course is to introduce the basic tools of probability and statistics to analyze data from natural, social or economic phenomena or experiments, focusing on its correct use and the interpretation of the results. [...]
El objetivo de la asignatura es introducir las herramientas de probabilidad y estadística básicas para analizar datos provenientes de la descripción de fenómenos naturales, sociales o económicos o de experimentos, incidiendo sobre su correcta utilización y la interpretación de los resultados. [...]

2023-24
Enginyeria de Dades [1394]
3 documentos
3.
6 p, 107.0 KB Instrumentació I [102736] / Nafría i Maqueda, Montserrat ; Porti Pujal, Marc ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Descriure els principis, arquitectures i limitacions dels sistemes de mesura. Identificar i emprar diferents tècniques de transducció i els circuits electrònics bàsics necessaris per a l'acondicionament i processat del senyal.
Describe the principles, architectures and limitations of measurement systems. Identify and use different transduction techniqu.
Describir los principios, arquitecturas y limitaciones de los sistemas de medida. Identificar y emplear diferentes técnicas de tra.

2023-24
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documentos
4.
6 p, 107.4 KB Instrumentació II [102735] / Porti Pujal, Marc ; Nafría i Maqueda, Montserrat ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Descriure el principi de funcionament dels conversors A/D i D/A, de les tarjes d'adquisició de dades i de diferents instruments electrònics de propòsit general, per introduir les especificacions que els caracteritzen, així com delimitar els errors que poden cometre's en una mesura. [...]
Describe the working principle of the A/D and D/A converters, the data acquisition cards and different general purpose electronic instruments, to introduce the specifications that characterize them, as well as to define the errors that can be committed in a measure. [...]
Describir el principio de funcionamiento de los conversores A/D y D/A, de las tarjetas de adquisición de datos y de diferentes instrumentos electrónicos de propósito general, para introducir las especificaciones que los caracterizan, así como delimitar los errores que pueden cometerse en una medida. [...]

2023-24
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documentos
5.
5 p, 104.7 KB Geometria Riemanniana [100115] / Gallego Gómez, Eduardo ; Porti Pique, Joan ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Una varietat de Riemann és una varietat diferenciable amb un producte escalar definit a l'espai tangent de cada punt. La geometria riemanniana s'ocupa d'estudiar aquests objectes i va néixer com una generalització de la geometria intrínseca de les superfícies. [...]
A Riemannian manifold is a differentiable manifold endowed with a scalar product in the tangent space at each point. Riemannian geometry is the study of Riemannian manifolds and first appears as a generalization of the intrinsic geometry of surfaces. [...]
Una variedad de Riemann es una variedad diferenciable con un producto escalar definido en el espacio tangente de cada punto. La geometría de Riemann se ocupa de estudiar estos objetos y nació como una generalización de la geometría intrínseca de las superficies. [...]

2023-24
Grau en Física i Grau en Matemàtiques [1286]
Grau en Matemàtiques [777]
3 documentos
6.
5 p, 103.4 KB Estadística [103803] / Porti Pique, Joan ; Garcia Martinez, Yamila ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu de l'assignatura és introduir les eines de la probabilitat i l'estadística bàsiques per analitzar dades provinents de la descripció de fenòmens naturals o d'experiments, incidint sobre la seva correcta utilització i la interpretació dels resultats. [...]
The goal of the course is to introduce the basic tools of probability and statistics to analyze data from natural phenomena or experiments, focusing in its correct use and the interpretation of the results. [...]
El objetivo de la asignatura es introducir las herramientas de probabilidad y estadística básicas para analizar datos provenientes de la descripción de fenómenos naturales o de experimentos, incidiendo sobre su correcta utilización y la interpretación de los resultados. [...]

2023-24
Enginyeria Informàtica [958]
3 documentos
7.
6 p, 110.4 KB Electricitat i Electrònica [102771] / Porti Pujal, Marc ; Oriols, Xavier ; Cartoixà Soler, Xavier ; Jiménez Jiménez, David ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Entendre els conceptes bàsics de l'electricitat i l'electrònica, i conèixer els elements bàsics que formen part dels circuits electrònics. Conèixer i saber utilitzar les lleis d'anàlisi de circuits per determinar el comportament dels circuits elèctrics lineals. [...]
Understand the basic concepts of electricity and electronics, and know the basic elements of electronic circuits. Know how to use the laws of circuit analysis to determine the behavior of linear electric circuits. [...]
Entender los conceptos básicos de la electricidad y la electrónica, y conocer los elementos básicos que forman parte de los circuitos electrónicos. Conocer y saber utilizar las leyes de análisis de circuitos para determinar el comportamiento de los circuitos eléctricos lineales. [...]

2023-24
Enginyeria Informàtica [958]
3 documentos
8.
4 p, 100.0 KB Tendències actuals de les matemàtiques [100127] / Perera Domenech, Francisco ; Porti Pique, Joan ; Masdeu Jurnet, Marc ; Antoine Riolobos, Ramon ; Castellana, Natàlia ; Prat Baiget, Laura ; Serra Mochales, Isabel ; Chamorro Servent, Judit ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Els objectius d'aquest assignatura són: Posar en contacte els futurs graduats amb temes importants de Matemàtiques que no es cobreixen a les assignatures del Grau. Acostumar els alumnes a escoltar conferències científiques, com a complement a la docència habitual. [...]
The objectives of this subject are: - To introduce the future graduates with important results of Mathematics that are no - As a complement to the standard teaching, the students will get used to scientific - To give an updated view of mathematics. [...]
Los objetivos de esta asignatura son: Poner en conatcto a los futuros graduados con temas importantes de Matemáticas que no se cubren en las asignaturas del Grado. Acostumbrar a los alumnos a escuchar conferencias científicas como complemento a la docencia habitual. [...]

2023-24
Grau en Física i Grau en Matemàtiques [1286]
Grau en Matemàtiques [777]
3 documentos
9.
4 p, 102.5 KB Topologia de varietats [100114] / Porti Pique, Joan ; Castellana, Natàlia ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
En aquest curs introduïm els invariants algebraics més bàsics que podem associar a un espai topològic (en particular a una varietat) i que ens proporcionen una primera aproximació a les propietats globals d'aquests objectes. [...]
In this course we introduce the most basic algebraic invariants that we can associate with a topological space (particularly a va.
En este curso introducimos a los invariantes algebraicos más básicos que podemos asociar a un espacio topológico (en partic.

2023-24
Grau en Física i Grau en Matemàtiques [1286]
Grau en Matemàtiques [777]
3 documentos
10.
4 p, 102.4 KB Topologia de varietats [100114] / Porti, Joan ; Castellana, Natàlia ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
En aquest curs introduïm els invariants algebraics més bàsics que podem associar a un espai topològic (en particular a una varietat) i que ens proporcionen una primera aproximació a les propietats globals d'aquests objectes. [...]
In this course we introduce the most basic algebraic invariants that we can associate with a topological space (particularly a va.
En este curso introducimos a los invariantes algebraicos más básicos que podemos asociar a un espacio topológico (en partic.

2022-23
Grau en Física i Grau en Matemàtiques [1286]
Grau en Matemàtiques [777]
3 documentos

Materiales académicos : Encontrados 97 registros   1 - 10siguientefinal  ir al registro:
¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.