Stochastic resonance effect in binary STDP performed by RRAM devices
Salvador Aguilera, Emili 
(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rubio, Antonio 1954- (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Ntinas, Vasileios (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Sirakoulis, Georgios Ch (Democritus University of Thrace. Department of Electrical and Computer Engineering)
| Data: |
2022 |
| Descripció: |
4 pàg. |
| Resum: |
The beneficial role of noise in the binary spike time dependent plasticity (STDP) learning rule, when implemented with memristors, is experimentally analyzed. The two memristor conductance states, which emulate the neuron synapse in neuromorphic architectures, can be better distinguished if a gaussian noise is added to the bias. The addition of noise allows to reach memristor conductances which are proportional to the overlap between pre- and post-synaptic pulses. |
| Ajuts: |
Agencia Estatal de Investigación PID2019-103869RB
Agencia Estatal de Investigación TEC2017-90969-EXP
|
| Drets: |
Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.  |
| Llengua: |
Anglès |
| Document: |
Capítol de llibre ; recerca ; Versió acceptada per publicar |
| Matèria: |
Memristor ;
Neuromorphic systems ;
Resistive switching ;
RRAM ;
STDP ;
Stochastic resonance |
| Publicat a: |
2022 IEEE 22nd International Conference on Nanotechnology (NANO), 2022, p. 449-452, ISBN 978-1-6654-5226-7 |
DOI: 10.1109/NANO54668.2022.9928738
El registre apareix a les col·leccions:
Llibres i col·leccions >
Capítols de llibres
Registre creat el 2024-05-07, darrera modificació el 2026-01-30
visitant ::
identificació
