1.
|
20 p, 4.7 MB |
Application of the Quasi-Static Memdiode Model in Cross-Point Arrays for Large Dataset Pattern Recognition
/
Aguirre, Fernando Leonel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Pazos, Sebastián Matías (Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas) ;
Palumbo, Félix (Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas) ;
Suñé, Jordi 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
We investigate the use and performance of the quasi-static memdiode model (QMM) when incorporated into large cross-point arrays intended for pattern classification tasks. Following Chua's memristive devices theory, the QMM comprises two equations, one equation for the electron transport based on the double-diode circuit with single series resistance and a second equation for the internal memory state of the device based on the so-called logistic hysteron or memory map. [...]
2020 - 10.1109/ACCESS.2020.3035638
IEEE Access, Vol. 8 (November 2020) , p. 202174-202193
|
|
2.
|
|
3.
|
|
4.
|
|
5.
|
|
6.
|
|
7.
|
46 p, 10.4 MB |
On the Thermal Models for Resistive Random Access Memory Circuit Simulation
/
Roldán, Juan B. (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ;
González-Cordero, Gerardo (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ;
Picos, Rodrigo (University of Balearic Islands. Industrial Engineering and Construction Department) ;
Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Palumbo, Félix (Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas) ;
Jiménez-Molinos, Francisco (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ;
Moreno Pérez, Enrique (Université Jean Monnet) ;
Maldonado, David (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ;
Baldomá, Santiago B. (Universidad Tecnológica Nacional. Unidad de Investigación y Desarrollo de las Ingenierías) ;
Moner Al Chawa, Mohamad (Technische Universität Dresden. Institute of Circuits and Systems) ;
de Benito, Carol (University of Balearic Islands. Industrial Engineering and Construction Department) ;
Stavrinides, Stavros G. (International Hellenic University) ;
Suñé, Jordi 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Chua, Leon O. (University of California. Electrical Engineering and Computer Science Department)
Resistive Random Access Memories (RRAMs) are based on resistive switching (RS) operation and exhibit a set of technological features that make them ideal candidates for applications related to non-volatile memories, neuromorphic computing and hardware cryptography. [...]
2021 - 10.3390/nano11051261
Nanomaterials, Vol. 11, Issue 5 (May 2021) , art. 1261
|
|
8.
|
5 p, 2.8 MB |
A simple, robust, and accurate compact model for a wide variety of complementary resistive switching devices
/
Saludes-Tapia, Mercedes (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Suñé, Jordi 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Complementary Resistive Switching (CRS) using memristive devices has been intensively investigated in the last decade. The objective of CRS is to generate low and high resistance windows in the I-V characteristic of the selector device with the aim of reducing the sneak-path conduction problem in crossbar arrays. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108083
Solid-state electronics, Vol. 185 (November 2021) , art. 108083
|
|
9.
|
27 p, 836.1 KB |
Low-power, high-performance, non-volatile inkjet-printed HfO 2 -based resistive random access memory : from device to nanoscale characterization
/
Vescio, Giovanni (Universitat de Barcelona. Institut de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Martín, Gemma (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ;
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Alonso Pérez, Daniel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Lopez-Vidrier, Julian (Albert-Ludwigs-Universität Freiburg) ;
Estrade, Sonia (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ;
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Peiro, Francesca (Universitat de Barcelona. Institut de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Cornet, Albert (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ;
Cirera, Albert (Universitat de Barcelona. Institut de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Low-power, high-performance metal-insulator-metal (MIM) non-volatile resistive memories based on HfO2 high-k dielectric are fabricated using a drop-on-demand inkjet printing technique as a low-cost and eco-friendly method. [...]
2019 - 10.1021/acsami.9b01731
ACS applied materials & interfaces, Vol. 11, issue 26 (2019) , p. 23659-23666
|
|
10.
|
7 p, 481.4 KB |
Experimental time evolution study of the HfO2-based IMPLY gate operation
/
Maestro Izquierdo, Marcos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Escudero, Manel (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rubio, Antonio 1954- (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In the last years, memristor devices have been proposed as key elements to develop a new paradigm to implement logic gates. In particular, the memristor-based material implication (IMPLY) gate has been presented as a potential powerful basis for logic applications. [...]
2018 - 10.1109/TED.2017.2778315
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 65, issue 2 (Feb. 2018) , p. 404-410
|
|