Página principal > Resultados de la búsqueda: Solid-state electronics
  Consejos para la búsqueda
Búsqueda avanzada
Buscar colecciones:
Ordenar por: Mostrar resultados: Formato de visualización:
Depósito Digital de Documentos de la UAB Encontrados 22 registros  anterior11 - 20siguiente  ir al registro: La búsqueda tardó 0.01 segundos. 
11.
12 p, 988.7 KB Modeling of the degradation of CMOS inverters under pulsed stress conditions from 'on-the-fly' measurements / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Ramos, R. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Barajas, Enrique (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aragones, Xavier (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Mateo, Diego (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, an 'on-the-fly' measurement technique for the monitoring of CMOS inverters performance degradation is presented. This technique allows the characterization of the circuit degradation simultaneously with the applications of the stress. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108094
Solid-state electronics, Vol. 184 (October 2021) , art. 108094  
Registro completo - Creative Commons
12.
11 p, 1.1 MB A CAFM and device level study of MIS structures with graphene as interfacial layer for ReRAM applications / Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Ruiz, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Wu, Q. (Sun Yat-Sen University) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Capacitive Metal-Insulator-Semiconductor structures with graphene as interfacial layer between the HfO dielectric and the top electrode have been fabricated and investigated at device level and at the nanoscale with Conductive Atomic Force Microscope. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108080
Solid-state electronics, Vol. 186 (December 2021) , art. 108080  
Registro completo - Creative Commons
13.
5 p, 735.0 KB Statistical threshold voltage shifts caused by BTI and HCI at nominal and accelerated conditions / Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In nowadays deeply scaled CMOS technologies, time-zero and time-dependent variability effects have become important concerns for analog and digital circuit design. For instance, transistor parameter shifts caused by Bias Temperature Instability and Hot-Carrier Injection phenomena can lead to progressive deviations of the circuit performance or even to its catastrophic failure. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108037
Solid-state electronics, Vol. 185 (November 2021) , art. 108037  
Registro completo - Creative Commons
14.
6 p, 6.4 MB SPICE modeling of cycle-to-cycle variability in RRAM devices / Salvador Aguilera, Emili (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, we investigated how to include uncorrelated cycle-to-cycle (C2C) variability in the LTSpice quasi-static memdiode model for RRAM devices. Variability in the I-V curves is first addressed through an in-depth study of the experimental data using the fitdistrplus package for the R language. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108040
Solid-state electronics, Vol. 185 (November 2021) , art. 108040  
Registro completo - Creative Commons
15.
5 p, 2.8 MB A simple, robust, and accurate compact model for a wide variety of complementary resistive switching devices / Saludes-Tapia, Mercedes (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Suñé, Jordi 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Complementary Resistive Switching (CRS) using memristive devices has been intensively investigated in the last decade. The objective of CRS is to generate low and high resistance windows in the I-V characteristic of the selector device with the aim of reducing the sneak-path conduction problem in crossbar arrays. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108083
Solid-state electronics, Vol. 185 (November 2021) , art. 108083  
Registro completo - Creative Commons
16.
8 p, 4.1 MB A flexible characterization methodology of RRAM : application to the modeling of the conductivity changes as synaptic weight updates / Pedro, Marta (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, an automatic and flexible measurement setup, which allows a massive electrical characterization of single RRAM devices with pulsed voltages, is presented. The evaluation of the G-V maps under single-pulse test-schemes is introduced as an example of application of the proposed methodology, in particular for neuromorphic engineering, where the fine analog control of the synaptic device conductivity state is required, by inducing small changes in each learning iteration. [...]
2019 - 10.1016/j.sse.2019.03.035
Solid-state electronics, Vol. 159 (Sep. 2019) , p. 57-62  
Registro completo - Creative Commons
17.
8 p, 4.1 MB A smart noise- and RTN-removal method for parameter extraction of CMOS aging compact models / Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In modern nanometer-scale CMOS technologies, time-zero and time-dependent variability (TDV) effects, the latter coming from aging mechanisms like Bias Temperature Instability (BTI), Hot Carrier Injection (HCI) or Random Telegraph Noise (RTN), have re-emerged as a serious threat affecting the performance of analog and digital integrated circuits. [...]
2019 - 10.1016/j.sse.2019.03.045
Solid-state electronics, Vol. 159 (Sep. 2019) , p. 99-105  
Registro completo - Creative Commons
18.
5 p, 661.5 KB Exploiting the KPFM capabilities to analyze at the nanoscale the impact of electrical stresses on OTFTs properties / Ruiz, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Xu, H. (Sun Yat-Sen University) ; Liu, C. (Sun Yat-Sen University) ; Wu, Q. (Sun Yat-Sen University)
Two different Kelvin Probe Force Microscopy (KPFM) measurement configurations have been combined to evaluate at the nanoscale the effects of an electrical stress on Organic Thin Film Transistors (OTFTs) properties. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108061
Solid-state electronics, Vol. 186 (Dec. 2021) , art. 108061  
Registro completo - Creative Commons
19.
16 p, 1.6 MB NanoElectronics roadmap for Europe : from nanodevices and innovative materials to system integration / Ahopelto, Jouni (VTT Technical Research Centre of Finland) ; Ardila, Gustavo (Université Grenoble Alpes) ; Baldi, L. ; Balestra, Francis (Université Grenoble Alpes) ; Belot, Didier (Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (França)) ; Fagas, Gíorgos (Tyndall National Institute) ; De Gendt, Stephan (IMEC) ; Demarchi, Danilo (Politecnico di Torino) ; Fernández Bolaños, Montserrat (Swiss Federal Institute of Technology) ; Holden, David (Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (França)) ; Ionescu, Adrian Mihai (EPFL) ; Meneghesso, Gaudenzio (University of Padova) ; Mocuta, Anda C. (IMEC) ; Pfeffer, Markus (Fraunhofer IISB) ; Popp, Ralf M. (edacentrum GmbH) ; Sangiorgi, Enrico C. (University of Bologna) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
The NEREID project ("NanoElectronics Roadmap for Europe: Identification and Dissemination") is dedicated to mapping the future of European Nanoelectronics. NEREID's objective is to develop a medium and long term roadmap for the European nanoelectronics industry, starting from the needs of applications to address societal challenges and leveraging the strengths of the European eco-system. [...]
2019 - 10.1016/j.sse.2019.03.014
Solid-state electronics, Vol. 155 (May 2019) , p. 7-19  
Registro completo - Creative Commons
20.
17 p, 1.4 MB New high resolution random telegraph noise (RTN) characterization method for resistive RAM / Maestro Izquierdo, Marcos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; González, M. B. (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Random Telegraph Noise (RTN) is one of the main reliability problems of resistive switching-based memories. To understand the physics behind RTN, a complete and accurate RTN characterization is required. [...]
2016 - 10.1016/j.sse.2015.08.010
Solid-state electronics, Vol. 115, Part B (January 2016) , p. 140-145  
Registro completo - Creative Commons

Depósito Digital de Documentos de la UAB : Encontrados 22 registros   anterior11 - 20siguiente  ir al registro:
¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.
Depósito Digital de Documentos de la UAB :: Buscar :: Enviar :: Personalizar :: Ayuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantenido por ddd.bib@uab.cat  :: Metadatos sujetos a:
Colaboramos