Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Oriols, Xavier
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 77 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 24 registres trobats
Documents de recerca, 11 registres trobats
Materials acadèmics, 42 registres trobats
Articles 24 registres trobats  1 - 10següentfinal  anar al registre:
1.
20 p, 1.2 MB Three types of Landauer's erasure principle : a microscopic view / Oriols, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nikolić, Hrvoje (Rudjer Bošković Institute. Theoretical Physics Division)
An important step to incorporate information in the second law of thermodynamics was done by Landauer, showing that the erasure of information implies an increase in heat. Most attempts to justify Landauer's erasure principle are based on thermodynamic argumentations. [...]
2023 - 10.1140/epjp/s13360-023-03855-z
European Physical Journal Plus, Vol. 138, Issue 3 (March 2023) , art. 250  
Registre complet - Creative Commons
2.
17 p, 3.5 MB Noise and charge discreteness as ultimate limit for the THz operation of ultra-small electronic devices / Colomés Capón, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Mateos, Javier (Universidad de Salamanca. Departamento de Física Aplicada) ; González, Tomás (Universidad de Salamanca. Departamento de Física Aplicada) ; Oriols, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
To manufacture faster electron devices, the industry has entered into the nanoscale dimensions and Terahertz (THz) working frequencies. The discrete nature of the few electrons present simultaneously in the active region of ultra-small devices generate unavoidable fluctuations of the current at THz frequencies. [...]
2020 - 10.1038/s41598-020-72982-9
Scientific reports, Vol. 10 (October 2020) , art. 15990  
Registre complet - Creative Commons
3.
16 p, 805.2 KB Effective 1D Time-Dependent Schrödinger Equations for 3D Geometrically Correlated Systems / Pandey, Devashish (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Oriols, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Albareda, Guillermo (Universitat de Barcelona)
The so-called Born-Huang ansatz is a fundamental tool in the context of ab-initio molecular dynamics, viz. , it allows effectively separating fast and slow degrees of freedom and thus treating electrons and nuclei with different mathematical footings. [...]
2020 - 10.3390/ma13133033
Materials, Vol. 13, Num. 13 (July 2020) , art. 3033  
Registre complet - Creative Commons
4.
13 p, 3.9 MB Can Wigner distribution functions with collisions satisfy complete positivity and energy conservation? / Villani, Matteo (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Oriols, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
To avoid the computational burden of many-body quantum simulation, the interaction of an electron with a photon (phonon) is typically accounted for by disregarding the explicit simulation of the photon (phonon) degree of freedom and just modeling its effect on the electron dynamics. [...]
2021 - 10.1007/s10825-021-01798-1
Journal of Computational Electronics, Vol. 20, Issue 6 (December 2021) , p. 2232-2244  
Registre complet - Creative Commons
5.
3 p, 635.8 KB Un tipus alternatiu de corrent d'electrons podria implicar repensar l'enginyeria electrònica a alta freqüència / Oriols, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Villani, Matteo (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Quan els electrons viatgen en un dispositiu electrònic produeixen un camp elèctric oscil·lant que es propaga a al llarg del dispositiu fins als contactes metàl·lics. Aquest fenomen genera un nou corrent que s'anomena corrent de desplaçament, i la seva velocitat de propagació és per naturalesa molt més ràpida que el moviment dels electrons que la produeixen. [...]
Cuando los electrones viajan a lo largo de un dispositivo electrónico producen un campo eléctrico oscilante que se propaga a lo largo del dispositivo hasta los contactos metálicos. Este fenómeno genera una nueva corriente que se denomina corriente de desplazamiento, y su velocidad de propagación es por naturaleza mucho más rápida que el movimiento de electrones que la produce. [...]
Electrons travelling along an electronic device produce an oscillating electric field which propagates along the device towards the metallic contacts. This phenomenon generates a new current called displacement current, and its propagation speed is by nature much faster than the dynamics of electrons producing it. [...]
2021
UAB divulga, Juliol 2021
3 documents
Registre complet - Creative Commons
6.
19 p, 12.9 MB Scattering in Terms of Bohmian Conditional Wave Functions for Scenarios with Non-Commuting Energy and Momentum Operators / Villani, Matteo (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Albareda, Guillermo (Universitat de Barcelona. Institut de Química Teòrica i Computacional) ; Destefani, Carlos Fernando (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Oriols, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Without access to the full quantum state, modeling quantum transport in mesoscopic systems requires dealing with a limited number of degrees of freedom. In this work, we analyze the possibility of modeling the perturbation induced by non-simulated degrees of freedom on the simulated ones as a transition between single-particle pure states. [...]
2021 - 10.3390/e23040408
Entropy, Vol. 23, Issue 4 (March 2021) , art. 408  
Registre complet - Creative Commons
7.
25 p, 4.0 MB Stochastic Schrödinger equations and conditional states : a general non-markovian quantum electron transport simulator for THz electronics / Pandey, Devashish (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Colomés Capón, Enrique ; Albareda, Guillermo (Max Planck Institute for the Structure and Dynamics of Matter and Center for Free-Electron Laser Science (Alemanya)) ; Oriols, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
A prominent tool to study the dynamics of open quantum systems is the reduced density matrix. Yet, approaching open quantum systems by means of state vectors has well known computational advantages. [...]
2019 - 10.3390/e21121148
Entropy, Vol. 21 (2019) , p. 1-25  
Registre complet - Creative Commons
8.
21 p, 2.0 MB A proposal for evading the measurement uncertainty in classical and quantum computing : Application to a resonant tunneling diode and a Mach-Zehnder interferometer / Pandey, Devashish (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bellentani, Laura (Università degli Studi di Modena e Reggio Emilia (Itàlia)) ; Villani, Matteo (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Albareda, Guillermo (Max Planck Institute for the Structure and Dynamics of Matter and Center for Free-Electron Laser Science (Alemanya)) ; Bordone, Paolo (Università degli Studi di Modena e Reggio Emilia (Itàlia)) ; Oriols, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Measuring properties of quantum systems is governed by a stochastic (collapse or state-reduction) law that unavoidably yields an uncertainty (variance) associated with the corresponding mean values. This non-classical source of uncertainty is known to be manifested as noise in the electrical current of nanoscale electron devices, and hence it can flaw the good performance of more complex quantum gates. [...]
2019 - 10.3390/app9112300
Applied sciences (Basel), Vol. 9, Issue 11 (June 2019) , art. 2300  
Registre complet - Creative Commons
9.
4 p, 729.8 KB "Klein tunneling" : un fenòmen exòtic amb implicacions en la velocitat dels dispositius electrònics de grafè / Pandey, Devashish (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Oriols, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
A causa de les seves propietats extraordinàries, el grafè s'estudia com un material nou molt prometedor per a l'electrònica. La dinàmica d'electrons en el grafè està modelada per l'equació de Dirac que presenta un fenomen exòtic de túnels anomenat "Klein tunneling": una transmissió perfecta d'electrons quan aquests incideixen perpendicularment a una barrera de potencial (independentment de l'alçada de la barrera).
Debido a sus propiedades extraordinarias, el grafeno se estudia como un material nuevo muy prometedor para la electrónica. La dinámica de electrones en el grafeno está modelada por la ecuación de Dirac que presenta un fenómeno exótico de túneles llamado "Klein tunneling": una transmisión perfecta de electrones cuando éstos inciden perpendicularmente a una barrera de potencial (independientemente de la altura de la barrera).
Because of its extraordinary properties, graphene has been studied as a new and promising material for electronics during the last fifteen years. The dynamic of electrons in graphene is modelled by the Dirac equation which present an exotic Klein tunnelling phenomenon: a perfect transmission of electrons impinging perpendicular to a potential barrier (irrespective of the barrier height).
2019
UAB divulga, Juny 2019, p. 1-4
3 documents
Registre complet - Creative Commons
10.
4 p, 330.0 KB Quantum Monte Carlo simulation of resonant tunneling diodes based on the Wigner distribution function formalism / García García, Juan José (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín, Ferran, (Martín Antolín) (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Oriols, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
A tool for the simulation of resonant tunneling diodes (RTDs) has been developed. This is based on the solution of the quantum Liouville equation in the active region of the device and the Boltzman transport equation in the regions adjacent to the contacts by means of a Monte Carlo algorithm. [...]
1998 - 10.1063/1.122800
Applied physics letters, Vol. 73, Num. 24 (December 1998) , p. 3539-3541  
Registre complet -

Articles : 24 registres trobats   1 - 10següentfinal  anar al registre:
Documents de recerca 11 registres trobats  1 - 10següent  anar al registre:
1.
181 p, 18.3 MB Terahertz Displacement Current in Resonant Tunnelling Diodes including Coherent Electron-Photon interaction / Villani, Matteo ; Oriols, Xavier, dir.
Hi ha un gran interès en el desenvolupament de dispositius portàtils de baixa potència que treballin a temperatura ambient en l'anomenat "terahertz gap" (THz), definit en el domini de freqüència entre els 100 GHz i els 30 THz. [...]
Existe un gran interés en desarrollar dispositivos móviles de bajo-consumo, para aplicaciones a temperatura ambiente en el conocido gap de los TeraHertzios (THz Gap), definida como el dominio en frecuencia entre 100 GHz y 30 THz. [...]
There is a great interest in developing portable low-power devices working at room temperature in the so-called Terahertz (THz) Gap, defined as the frequency domain between 100 GHz and 30 THz. Below this frequency domain, when the working frequencies are smaller than the inverse of the electron transit time of the active region of the device, the current can be predicted from the amount of charge crossing the electron device and modelled through an electrostatic approximation of the electromagnetic fields. [...]
2022  
Registre complet - Creative Commons
2.
265 p, 8.9 MB Quantum transport in Solid state devices for Terahertz frequency applications / Pandey, Devashish ; Oriols, Xavier, dir. ; Albareda, Guillermo, dir.
El treball presentat en aquesta tesi es dedica a la comprensió de desafiaments pràctics i conceptuals en la simulació de propietats dinàmiques més enllà de l'aproximació quasi-estàtica en dispositius quàntics d'estat sòlid en escenaris on és necessari un tractament mecànic quàntic complet. [...]
El trabajo presentado en esta tesis está dedicado a la comprensión de desafíos prácticos y conceptuales en la simulación de propiedades dinámicas más allá de la aproximación cuasiestática en dispositivos cuánticos de estado sólido en escenarios donde es necesario un tratamiento mecánico cuántico completo. [...]
The work presented in this thesis is dedicated to the understanding of practical and conceptual challenges in simulating dynamical properties beyond the quasi-static approximation, in solid-state quantum devices in scenarios where a full quantum mechanical treatment is necessary. [...]
2020  
Registre complet - Creative Commons
3.
259 p, 11.1 MB Quantum transport with Bohmian mechanics : application to graphene devices / Colomés Capón, Enrique ; Oriols, Xavier, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
La ley de Moore ha sido una piedra fundamental en la mejora de la electónica y la causa del aumento de nuestra capacidad computacional y de la existencia de la electónica. En estas dimensiones, herramientas de simulación clásica deben ser susti- tuidas por cuánticas. [...]
Moore's law has been the milestone for electronics improvement, and the cause for the exponential growth in our computational abilities and for reaching nanoscale electron devices. At such dimensions, classical simulation tools must be substituted by quan- tum ones. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.  
Registre complet - Creative Commons
4.
184 p, 11.7 MB On the displacement current in THz quantum nanodevices : application to the simulation of graphene transistors / Zhan, Zhen ; Oriols, Xavier, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
En la actualidad, la comunidad científica está trabajando en dispositivos electrónicos en la nanoscala para frecuencias de TeraHertzios (THz). Para tales frecuencias, la corriente de desplazamiento -la variación temporal del flujo eléctrico- tiene un papel tan relevante como la corriente de la partícula. [...]
Nowadays, the scientific community envisions nanoscale electronic devices working at TeraHertz (THz) frequencies. For such frequencies, the displacement current, the temporal variation of the electric flux, has a role as relevant as the particle current. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
Registre complet - Creative Commons
5.
114 p, 1.7 MB Transporte cuántico en grafeno: interacción dinámica de intercambio y estados cuasi-unidimensionales estacionarios / Yaro Medina, Simeón Moisés ; Oriols, Xavier, dir. ; Cartoixà Soler, Xavier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Esta tesis doctoral versa sobre el transporte electrónico en sistemas de baja dimensión. En particular, se utlizan diferentes formalismos para abordar fenómenos cuánticos en el transporte electrónico en grafeno. [...]
This dissertation deals with electronic transport in low dimensional systems. In particular, quantum phenomena in electronic transport in graphene are addressed using different formalisms. On one hand, the exchange interaction in time-dependent processes in electron transport is studies with Bohm trajectories for wavepackets. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2014  
Registre complet - Creative Commons
6.
118 p, 6.2 MB Quantum many-particle electron transport in time-dependent systems with Bohmian trajectories / Alarcón Pardo, Alfonso ; Oriols, Xavier, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Es conocido que a escalas nanométricas se debe tratar con en el problema de muchas partículas a la hora de estudiar dispositivos electrónicos. Es estos escenarios, la ecuación de Schrödinger dependiente del tiempo para muchas partículas solo se puede resolver para unos pocos grados de libertad. [...]
It is known that at nanoscale regime we must deal with the many-particle problem in order to study electronic devices. In this scenario, the time-dependent many-particle Schrödinger equation is only directly solvable for very few degrees of freedom. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2011  
Registre complet -
7.
114 p, 1.4 MB Development of semi-classical and quantum tools for the high-frequency simulation of nanoscale electron devices / Benali, Abdelilah ; Oriols, Xavier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
La electrónica envuelve muchos aspectos de nuestra vida cotidiana. El progreso de nuestra sociedad actual, en última instancia, está relacionado con el progreso de la electrónica. Tal progreso exige que las nuevas generaciones de dispositivos sean cada vez mas pequeñas y mas rapidas. [...]
Electronics surrounds many aspects of our everyday life. The progress of our actual society is somehow ultimately linked to the progress of electronics. Such progress demands smaller and faster devices. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2014  
Registre complet -
8.
83 p, 1.9 MB Interfície gràfica pel simulador científic de nanoestructures BITLLES / Padró Olivet, Arnau ; Oriols, Xavier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'emergent indústria nanoelectrònica necessita de nous simuladors de dispositius nanoelectrònics. Des del departament d'Enginyeria Electrònica de la UAB se n'està desenvolupant un anomenat BITLLES. [...]
La emergente industria nanoelectrónica necesita de nuevos simuladores de dispositivos nanoelectrónicos. Desde el departamento de Enginyeria Electrónica de la UAB se está desarrollando uno cuyo nombre es BITLLES. [...]
The emerging nanoelectronics industry needs new nanoelectronic device simulator. The department of Enginyeria Electrònica at UAB is developing one called BITLLES. Despite its advanced state of development it lacks a graphical interface that facilitates the data input to the simulator. [...]
2010  
Registre complet - Creative Commons
9.
45 p, 1.5 MB Desenvolupament d'un videojoc en 3D / Ricart López, Eduard ; Oriols, Xavier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
La industria de los videojuegos crece exponencialmente y está ya superando a otras industrias punteras del ocio. En este proyecto, nos hemos planteado la realización de un videojuego con visualización en el espacio real 3D. [...]
La indústria dels videojocs creix exponencialment i està ja superant a d'altres indústries capdavanteres de l'oci. En aquest projecte, ens hem plantejat la realització d'un videojoc amb visualització en l'espai real 3D. [...]
The gaming industry is growing exponentially and is now outselling other edge of the leisure industries. In this project, we have considered the realization of a video game display in real 3D space. [...]
2009  
Registre complet - Creative Commons
10.
105 p, 998.7 KB Dispositius nanoelectrònics a freqüències de THz : estudi de la propagació electromagnètica en les connexions / Baella Martínez, Lídia ; Oriols, Xavier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Per a altes freqüències, les connexions poden tenir un paper rellevant. Atès que la velocitat de propagació dels senyals electromagnètics, c, en el cable no és infinita, el voltatge i el corrent al llarg del cable varien amb el temps. [...]
Para altas frecuencias, las conexiones pueden tener un papel importante. Debido a que la velocidad de propagación de las señales electromagnéticas, c, en el cable no es infinita, la tensión y la corriente en el cable varían con el tiempo. [...]
For high frequencies, the connections could have an important role. As the propagation velocity of the electromagnetic signals, c, in the cable isn't infinite, the voltage and the current in the cable change with time. [...]
2007  
Registre complet - Creative Commons

Documents de recerca : 11 registres trobats   1 - 10següent  anar al registre:
Materials acadèmics 42 registres trobats  1 - 10següentfinal  anar al registre:
1.
5 p, 105.5 KB Dispositius Nanoelectrònics [43430] / Oriols, Xavier ; Suñé Tarruella, Jorge Francisco ; Pacheco-Sánchez, Aníbal ; Jiménez Jiménez, David ; Miranda Castellano, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Adquirir una visió general sobre la situació actual de la nanoelectrònica a partir principalment del International Technology reoadmap for Semiconductors, incloent-hi les dificultats i reptes de recerca i les principals tendències evolutives. [...]
1) Get a general vision about the state-of-the-art in nanoelectronics. This will include the understanding of the most important technological drawbacks, the research goals and the main evolution trends. [...]
1) Adquirir una visión general sobre la situación actual de la nanoelectrónica a partir principalmente del International Technology reoadmap for Semiconductors. Se incluye la comprensión de las principales barreras tecnológicas, los retos de investigación y las principales tendencias evolutivas. [...]
2023-24
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
2.
9 p, 111.5 KB Dispositius Electrònics [103289] / Oriols, Xavier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
. - Comprensió i domini dels principis físics dels semiconductors, així com dels dispositius electrònics i fotònics més habituals i de la tecnologia de fabricació dels mateixos. 1 . - Relacionar les prestacions dels dispositius, els seu funcionament en circuits i els processos tecnològics de fabricació, mitjançant models físics analítics, simulacions numèriques a nivell físic, models compactes i simulacions circuitals.
- Understanding and mastery of the physical principles of semiconductors, as well as the most common electronic and photonic devices and the technology of their manufacture. - Relate the benefits of the devices, their operation in circuits and the technological manufacturing processes, through physical analytical models, numerical simulations at a physical level, compact models and circuit simulations.
. -Comprensión y dominio de los principios físicos de los semiconductores, así como de los dispositivos electrónicos y fotónicos más habituales y de la tecnología de fabricación de los mismos. [...]
2023-24
Grau en Nanociència i Nanotecnologia [983]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
3.
6 p, 110.4 KB Electricitat i Electrònica [102771] / Porti Pujal, Marc ; Oriols, Xavier ; Cartoixà Soler, Xavier ; Jiménez Jiménez, David ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Entendre els conceptes bàsics de l'electricitat i l'electrònica, i conèixer els elements bàsics que formen part dels circuits electrònics. Conèixer i saber utilitzar les lleis d'anàlisi de circuits per determinar el comportament dels circuits elèctrics lineals. [...]
Understand the basic concepts of electricity and electronics, and know the basic elements of electronic circuits. Know how to use the laws of circuit analysis to determine the behavior of linear electric circuits. [...]
Entender los conceptos básicos de la electricidad y la electrónica, y conocer los elementos básicos que forman parte de los circuitos electrónicos. Conocer y saber utilizar las leyes de análisis de circuitos para determinar el comportamiento de los circuitos eléctricos lineales. [...]
2023-24
Enginyeria Informàtica [958]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
4.
5 p, 105.4 KB Dispositius Nanoelectrònics [43430] / Oriols, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Jiménez Jiménez, David ; Miranda Castellano, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Adquirir una visió general sobre la situació actual de la nanoelectrònica a partir principalment del International Technology reoadmap for Semiconductors, incloent-hi les dificultats i reptes de recerca i les principals tendències evolutives. [...]
1) Get a general vision about the state-of-the-art in nanoelectronics. This will include the understanding of the most important technological drawbacks, the research goals and the main evolution trends. [...]
1) Adquirir una visión general sobre la situación actual de la nanoelectrónica a partir principalmente del International Technology reoadmap for Semiconductors. Se incluye la comprensión de las principales barreras tecnológicas, los retos de investigación y las principales tendencias evolutivas. [...]
2022-23
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
5.
9 p, 111.0 KB Dispositius Electrònics [103289] / Oriols, Xavier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
. - Comprensió i domini dels principis físics dels semiconductors, així com dels dispositius electrònics i fotònics més habituals i de la tecnologia de fabricació dels mateixos. . - Relacionar les prestacions dels dispositius, els seu funcionament en circuits i els processos tecnològics de fabricació, mitjançant models físics analítics, simulacions numèriques a nivell físic, models compactes i simulacions circuitals. [...]
- Understanding and mastery of the physical principles of semiconductors, as well as the most common electronic and photonic devices and the technology of their manufacture. - Relate the benefits of the devices, their operation in circuits and the technological manufacturing processes, through physical analytical models, numerical simulations at a physical level, compact models and circuit simulations.
. -Comprensión y dominio de los principios físicos de los semiconductores, así como de los dispositivos electrónicos y fotónicos más habituales y de la tecnología de fabricación de los mismos. [...]
2022-23
Grau en Nanociència i Nanotecnologia [983]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
6.
5 p, 109.0 KB Electricitat i Electrònica [102771] / Porti Pujal, Marc ; Oriols, Xavier ; Cartoixà Soler, Xavier ; Jiménez Jiménez, David ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Entendre els conceptes bàsics de l'electricitat i l'electrònica, i conèixer els elements bàsics que formen part dels circuits electrònics. Conèixer i saber utilitzar les lleis d'anàlisi de circuits per determinar el comportament dels circuits elèctrics lineals. [...]
Understand the basic concepts of electricity and electronics, and know the basic elements of electronic circuits. Know how to use the laws of circuit analysis to determine the behavior of linear electric circuits. [...]
Entender los conceptos básicos de la electricidad y la electrónica, y conocer los elementos básicos que forman parte de los circuitos electrónicos. Conocer y saber utilizar las leyes de análisis de circuitos para determinar el comportamiento de los circuitos eléctricos lineales. [...]
2022-23
Enginyeria Informàtica [958]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
7.
5 p, 105.4 KB Dispositius Nanoelectrònics [43430] / Oriols, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Feijoo, Pedro Carlos ; Jiménez Jiménez, David ; Miranda, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Adquirir una visió general sobre la situació actual de la nanoelectrònica a partir principalment del International Technology reoadmap for Semiconductors, incloent-hi les dificultats i reptes de recerca i les principals tendències evolutives. [...]
1) Get a general vision about the state-of-the-art in nanoelectronics. This will include the understanding of the most important technological drawbacks, the research goals and the main evolution trends. [...]
1) Adquirir una visión general sobre la situación actual de la nanoelectrónica a partir principalmente del International Technology reoadmap for Semiconductors. Se incluye la comprensión de las principales barreras tecnológicas, los retos de investigación y las principales tendencias evolutivas. [...]
2021-22
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
8.
8 p, 110.3 KB Dispositius Electrònics [103289] / Oriols, Xavier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
. - Comprensió i domini dels principis físics dels semiconductors, així com dels dispositius electrònics i fotònics més habituals i de la tecnologia de fabricació dels mateixos. . - Relacionar les prestacions dels dispositius, els seu funcionament en circuits i els processos tecnològics de fabricació, mitjançant models físics analítics, simulacions numèriques a nivell físic, models compactes i simulacions circuitals. [...]
- Understanding and mastery of the physical principles of semiconductors, as well as the most common electronic and photonic devices and the technology of their manufacture. - Relate the benefits of the devices, their operation in circuits and the technological manufacturing processes, through physical analytical models, numerical simulations at a physical level, compact models and circuit simulations.
. -Comprensión y dominio de los principios físicos de los semiconductores, así como de los dispositivos electrónicos y fotónicos más habituales y de la tecnología de fabricación de los mismos. [...]
2021-22
Grau en Nanociència i Nanotecnologia [983]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
9.
5 p, 109.0 KB Electricitat i Electrònica [102771] / Porti Pujal, Marc ; Oriols, Xavier ; Cartoixà Soler, Xavier ; Jiménez Jiménez, David ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Entendre els conceptes bàsics de l'electricitat i l'electrònica, i conèixer els elements bàsics que formen part dels circuits electrònics. Conèixer i saber utilitzar les lleis d'anàlisi de circuits per determinar el comportament dels circuits elèctrics lineals. [...]
Understand the basic concepts of electricity and electronics, and know the basic elements of electronic circuits. Know how to use the laws of circuit analysis to determine the behavior of linear electric circuits. [...]
Entender los conceptos básicos de la electricidad y la electrónica, y conocer los elementos básicos que forman parte de los circuitos electrónicos. Conocer y saber utilizar las leyes de análisis de circuitos para determinar el comportamiento de los circuitos eléctricos lineales. [...]
2021-22
Enginyeria Informàtica [958]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
10.
5 p, 105.1 KB Dispositius Nanoelectrònics [43430] / Oriols, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Feijoo, Pedro Carlos ; Jiménez Jiménez, David ; Miranda, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Adquirir una visió general sobre la situació actual de la nanoelectrònica a partir principalment del International Technology reoadmap for Semiconductors, incloent-hi les dificultats i reptes de recerca i les principals tendències evolutives. [...]
1) Adquirir una visión general sobre la situación actual de la nanoelectrónica a partir principalmente del International Technology reoadmap for Semiconductors. Se incluye la comprensión de las principales barreras tecnológicas, los retos de investigación y las principales tendencias evolutivas. [...]
2020-21
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]
3 documents
Registre complet - Creative Commons

Materials acadèmics : 42 registres trobats   1 - 10següentfinal  anar al registre:
Vegeu també: autors amb noms similars
1 Oriols, X.
10 Oriols, Xavier,
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem