Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Electrical and Electronic Engineering
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 8 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 8 registres trobats
Articles 8 registres trobats  
1.
39 p, 1.5 MB Two-dimensional materials prospects for non-volatile spintronic memories / Yang, Hyunsoo (National University of Singapore. Department of Electrical and Computer Engineering) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Chshiev, Mairbek (SPINtronique et TEchnologie des Composants) ; Couet, Sébastien (Imec) ; Dieny, Bernard (SPINtronique et TEchnologie des Composants) ; Dlubak, Bruno (Unité Mixte de Physique. CNRS. Thales. Université Paris-Saclay) ; Fert, Albert (Université Paris-Saclay. Unité Mixte de Physique) ; Garello, Kevin (SPINtronique et TEchnologie des Composants) ; Jamet, Matthieu (SPINtronique et TEchnologie des Composants) ; Jeong, Dae-Eun (Samsung Electronics Co.) ; Lee, Kangho (Samsung Electronics Co.) ; Lee, Taeyoung (GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.) ; Martin, Marie-Blandine (Université Paris-Saclay. Unité Mixte de Physique) ; Kar, Gouri Sankar (Imec) ; Sénéor, Pierre (Université Paris-Saclay. Unité Mixte de Physique) ; Shin, Hyeon-Jin (Samsung Advanced Institute of Technology) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Non-volatile magnetic random-access memories (MRAMs), such as spin-transfer torque MRAM and next-generation spin-orbit torque MRAM, are emerging as key to enabling low-power technologies, which are expected to spread over large markets from embedded memories to the Internet of Things. [...]
2022 - 10.1038/s41586-022-04768-0
Nature, Vol. 606, issue 7915 (June 2022) , p. 663-673  
Registre complet -
2.
25 p, 4.7 MB Design, fabrication, characterization and reliability study of CMOS-MEMS Lorentz-force magnetometers / Valle, Juan (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Sánchez-Chiva, Josep Maria (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Fernández Martínez, Daniel (Institut de Física d'Altes Energies) ; Madrenas, Jordi (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica)
This article presents several design techniques to fabricate micro-electro-mechanical systems (MEMS) using standard complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) processes. They were applied to fabricate high yield CMOS-MEMS shielded Lorentz-force magnetometers (LFM). [...]
2022 - 10.1038/s41378-022-00423-w
Microsystems & Nanoengineering, Vol. 8 (2022) , art. 103  
Registre complet - Creative Commons
3.
11 p, 5.7 MB Investigation on the conductive filament growth dynamics in resistive switching memory via a Universal Monte Carlo Simulator / Li, Yu (Chinese Academy of Sciences. Institute of Microelectronics (Beijing, Xina)) ; Zhang, Meiyun (Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials) ; Long, Shibing (Chinese Academy of Sciences. Institute of Microelectronics (Beijing, Xina)) ; Teng, Jiao (University of Science and Technology (Beijing, Xina)) ; Liu, Qi (Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials) ; Lv, Hangbing (Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Liu, Ming (Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials)
In resistive random access memories, modeling conductive filament growing dynamics is important to understand the switching mechanism and variability. In this paper, a universal Monte Carlo simulator is developed based on a cell switching model and a tunneling-based transport model. [...]
2017 - 10.1038/s41598-017-11165-5
Scientific reports, Vol. 7 (Sep. 2017) , art. 11204  
Registre complet - Creative Commons
4.
17 p, 3.5 MB Noise and charge discreteness as ultimate limit for the THz operation of ultra-small electronic devices / Colomés Capón, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Mateos, Javier (Universidad de Salamanca. Departamento de Física Aplicada) ; González, Tomás (Universidad de Salamanca. Departamento de Física Aplicada) ; Oriols, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
To manufacture faster electron devices, the industry has entered into the nanoscale dimensions and Terahertz (THz) working frequencies. The discrete nature of the few electrons present simultaneously in the active region of ultra-small devices generate unavoidable fluctuations of the current at THz frequencies. [...]
2020 - 10.1038/s41598-020-72982-9
Scientific reports, Vol. 10 (October 2020) , art. 15990  
Registre complet - Creative Commons
5.
5 p, 697.8 KB Combined nanoscale KPFM characterization and device simulation for the evaluation of the MOSFET variability related to metal gate workfunction fluctuations / Ruiz, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Seoane, Natalia (Universidade de Santiago de Compostela. Citius) ; Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Garcia-Loureiro, Antonio (Universidade de Santiago de Compostela. Citius) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, a more realistic approximation based on 2D nanoscale experimental data obtained on a metal layer is presented to investigate the impact of the metal gate polycrystallinity on the MOSFET variability. [...]
2019 - 10.1016/j.mee.2019.111048
Microelectronic engineering, Vol. 216 (Aug. 2019) , art. 111048  
Registre complet - Creative Commons
6.
5 p, 661.5 KB Exploiting the KPFM capabilities to analyze at the nanoscale the impact of electrical stresses on OTFTs properties / Ruiz, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Xu, H. (Sun Yat-Sen University) ; Liu, C. (Sun Yat-Sen University) ; Wu, Q. (Sun Yat-Sen University)
Two different Kelvin Probe Force Microscopy (KPFM) measurement configurations have been combined to evaluate at the nanoscale the effects of an electrical stress on Organic Thin Film Transistors (OTFTs) properties. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108061
Solid-state electronics, Vol. 186 (Dec. 2021) , art. 108061  
Registre complet - Creative Commons
7.
6 p, 706.8 KB Power-efficient noise-induced reduction of reram cell's temporal variability effects / Ntinas, Vasileios (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rubio, Antonio 1954- (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Sirakoulis, Georgios Ch (Democritus University of Thrace. Department of Electrical and Computer Engineering) ; Salvador Aguilera, Emili (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Pedro, Marta (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Resistive Random Access Memory (ReRAM) is a promising novel memory technology for non-volatile storing, with low-power operation and ultra-high area density. However, ReRAM memories still face issues through commercialization, mainly owing to the fact that the high fabrication variations and the stochastic switching of the manufactured ReRAM devices cause high Bit Error Rate (BER). [...]
2021 - 10.1109/TCSII.2020.3026950
IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Vol. 68, issue 4 (April 2021) , p. 1378-1382  
Registre complet -
8.
6 p, 564.7 KB Controlling the Electromagnetic Field Confinement with Metamaterials / Bonache Albacete, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Zamora González, Gerard (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Paredes, Ferran (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Zuffanelli, Simone ; Aguilà Moliner, Pau (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín, Ferran, (Martín Antolín) (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The definition of a precise illumination region is essential in many applications where the electromagnetic field should be confined in some specific volume. By using conventional structures, it is difficult to achieve an adequate confinement distance (or volume) with negligible levels of radiation leakage beyond it. [...]
2016 - 10.1038/srep37739
Scientific reports, Vol. 6, art. 37739 (2016)  
Registre complet - Creative Commons

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem